[发明专利]填充基材表面上间隙特征的方法和相关半导体器件结构

摘要

本发明公开了用于填充基材表面上的间隙特征的方法和相关的半导体器件结构。该方法可包括：将包含一个或多个间隙特征的基材提供到反应室内；以及通过循环沉积‑蚀刻方法用钼金属膜部分填充一个或多个间隙特征，其中循环沉积‑蚀刻方法的单元循环包括：通过执行第一循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜部分填充一个或多个间隙特征；和部分蚀刻钼金属膜。该方法还可包括：通过执行第二循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜填充一个或多个间隙特征。本发明还公开了包括间隙填充钼金属膜的半导体器件结构，所述间隙填充钼金属膜设置在通过本公开内容的方法形成的基材的表面中或表面上的一个或多个间隙特征中。

主权项

1.一种用于填充基材表面上的间隙特征的方法，所述方法包括：将包含一个或多个间隙特征的基材提供到反应室内；通过循环沉积‑蚀刻方法用钼金属膜部分填充所述一个或多个间隙特征，其中所述循环沉积‑蚀刻方法的单元循环包括：通过执行第一循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜部分填充所述一个或多个间隙特征；和部分蚀刻所述钼金属膜；和通过执行第二循环沉积方法的至少一个单元循环，用钼金属膜填充所述一个或多个间隙特征。