[发明专利]半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在本申请实施例中，在制备AlN厚膜时，先在衬底表面制作形成AlN成核层和表面调制AlN外延层，制备形成的表面调制AlN外延层能够促进位错弯曲湮没，降低外延结构的位错密度，可以提高外延结构的结晶质量。此外，在制作AlN厚膜时，在高速生长条件进行制备，使得AlN厚膜的制备速率更快，可以在短时间内制备得到厚度更厚、质量更好的AlN厚膜。制备得到的AlN厚膜表面更光滑，晶体质量更好，利于AlN厚膜制备的大规模产业应用。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；将所述衬底置于反应腔内进行表面清洁，并在所述衬底表面形成外延生长台阶；在所述衬底形成外延生长台阶的一侧制作AlN成核层；在所述AlN成核层远离所述衬底一侧制作表面调制AlN外延层，并采用激光原位监测所述半导体器件的表面形貌，在监测到所述半导体器件的表面形貌的反射率波谷符合预设条件时，结束所述表面调制AlN外延层的制作；在高速生长条件下，在所述表面调制AlN外延层远离所述AlN成核层的一侧制作形成AlN厚膜，其中，所述高速生长条件包括以下条件中的一种或多种：将所述反应腔内的制备温度提高至1150℃‑1500℃，所述制备温度为生长时所述半导体器件表面的实际温度；将输入所述反应腔内所述III族金属源的源瓶的气压设置为600‑1300mbar；将输入所述反应腔内的III族金属源流量设置为10‑300μmol/min；及将输入所述反应腔内的V族源与III族金属源的摩尔比设置为10‑5000。