[发明专利]用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法在审
| 申请号： | 201811003934.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109423618A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | B·佐普;S·斯瓦弥纳杉;K·史瑞斯萨;朱驰宇;H·T·A·朱希拉;谢琦 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/14 | 分类号： | C23C16/14;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;朱黎明 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文公开了用于在基材和相关半导体器件结构的介电表面上沉积钼金属膜的方法。所述方法可包括：向反应室中提供包含介电表面的基材；和直接在所述介电表面上沉积钼金属膜，其中沉积包括：使基材与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触；和使基材与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了半导体器件结构，其包含直接设置于通过本公开的方法沉积的介电材料的表面上的钼金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 沉积 金属膜 半导体器件结构 电表 气相反应物 还原剂前体 介电材料 直接设置 反应室 卤化钼 前体 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过循环沉积工艺直接在基材的介电材料表面上沉积钼金属膜的方法，所述方法包括：向反应室中提供包含介电表面的基材；和直接在所述介电表面上沉积钼金属膜，其中所述沉积包括：使所述基材与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触；和使所述基材与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
