[发明专利]利用磁通电调控抑制低频噪声的磁传感器及其应用方法有效
| 申请号： | 201811004089.3 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109307850B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李裴森;潘孟春;胡佳飞;潘龙;彭俊平;邱伟成;冀敏慧;陈棣湘;田武刚;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用磁通电调控抑制低频噪声的磁传感器及其应用方法，本发明磁传感器的绝缘基底上设有第一和第二磁力线聚集器，绝缘基底上位于第一和第二磁力线聚集器间的间隙中设有磁电阻敏感单元，间隙的上侧设有磁通电调控单元，磁通电调控单元包括自下而上依次层叠布置的电可调磁性膜、压电基底底电极、压电基底和压电基底顶电极，压电基底底电极和压电基底顶电极构成压电基底的驱动电极。本发明利用交流电场周期性调控微磁性结构磁导率，实现间隙内被测磁场的高频调制，再通过高通滤波器，抑制传感器低频噪声影响，大幅提升传统磁电阻传感器低频弱磁探测能力，具有功耗低、稳定性好、抗干扰能力强，且能够高效抑制低频噪声的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 通电 调控 抑制 低频 噪声 传感器 及其 应用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用磁通电调控抑制低频噪声的磁传感器，包括绝缘基底(1)，所述绝缘基底(1)上设有间隙布置的第一磁力线聚集器(21)和第二磁力线聚集器(22)，所述绝缘基底(1)上位于第一磁力线聚集器(21)和第二磁力线聚集器(22)之间的间隙(23)的底部设有磁电阻敏感单元(3)，其特征在于：所述间隙(23)的上侧设有磁通电调控单元(4)，所述磁通电调控单元(4)包括自下而上依次层叠布置的电可调磁性膜(41)、压电基底底电极(42)、压电基底(43)和压电基底顶电极(44)，所述压电基底底电极(42)和压电基底顶电极(44)构成压电基底(43)的驱动电极。
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