[发明专利]用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置、方法和系统在审
| 申请号： | 201811005164.8 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427404A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | S·A·琼;H·桑吉迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请案涉及用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置、方法和系统。本文揭示用于电压降级感知NAND阵列管理的装置和技术。监视到NAND装置的电压以检测电压事件。以所述电压事件修改电压事件的历史。从所述电压事件的历史观察电压条件。随后响应于所述电压条件修改所述NAND装置中的NAND阵列的操作参数。 | ||
| 搜索关键词： | 电压事件 感知 电压条件 降级 操作参数 检测电压 申请案 管理 监视 响应 观察 | ||
【主权项】：
1.一种用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置，所述NAND装置包括：NAND阵列；以及控制器，其用以：监视到所述NAND装置的电压以检测电压事件；以所述电压事件修改电压事件的历史；从所述电压事件的历史观察电压条件；以及响应于所述电压条件修改所述NAND阵列的操作参数。
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