[发明专利]一种场发射阴极电子源、阵列及电子发射方法有效
| 申请号： | 201811006225.2 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300750B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卢维尔;夏洋;赵丽莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种场发射阴极电子源、阵列及电子发射方法，所述包括场发射阴极电子源：衬底、第一电极、第二电极、第一螺旋部和第二螺旋部。所述第一电极与所述第一螺旋部连接，所述第二电极与所述第二螺旋部连接；所述第一螺旋部与所述第二螺旋部相互环绕设置形成嵌套的双螺旋结构，并用于发射电子；所述第一电极、所述第二电极、所述第一螺旋部和所述第二螺旋部均设置在所述衬底的上表面。本发明的第一电极、第二电极、第一螺旋部和第二螺旋部形成单层结构，降低了加工控制难度，提高了稳定性，适合大规模阵列集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 电子 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极电子源，其特征在于，包括：衬底、第一电极、第二电极、第一螺旋部和第二螺旋部；所述第一电极与所述第一螺旋部连接，所述第二电极与所述第二螺旋部连接；所述第一螺旋部与所述第二螺旋部相互环绕设置构成嵌套的双螺旋结构，并用于发射电子；所述第一电极、所述第二电极、所述第一螺旋部和所述第二螺旋部均设置在所述衬底的上表面。
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