[发明专利]用作超级电容器电极材料的Cu2Se纳米材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811009121.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109243836A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;吴宇浩;张田;刘光 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;C01B19/04 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 梁群兰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用作超级电容器电极的硒化亚铜纳米材料及其制备方法，该纳米材料为六边形的片状纳米结构，由单个纳米片层相互交错团聚而成。该Cu2Se纳米材料采用了一步水热的合成方法，以SeO2为硒源，泡沫铜为铜源，一步水热合成Cu2Se。将制备的纳米材料进行微观形貌分析，表现出结构纯度高、形貌均匀的特性。Cu2Se纳米材料在超级电容器三电极体系测试中，具有一定的放电平台，表现出明显的法拉第赝电容特性，5mV/s的扫描速率下有989.5F/g的比电容。本发明制备的硒化亚铜纳米电极材料具有比电容高、制备方法简单、成本低、良好的赝电容特性等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米材料 制备 超级电容器电极 硒化亚铜 比电容 形貌 法拉第赝电容 纳米电极材料 片状纳米结构 微观形貌分析 一步水热合成 超级电容器 三电极体系 放电平台 纳米片层 六边形 泡沫铜 赝电容 水热 铜源 硒源 交错 扫描 团聚 表现 合成 测试 | ||
【主权项】：
1.一种用作超级电容器电极材料的Cu2Se纳米材料，其特征在于：所述Cu2Se纳米材料为规则片状结构，单个纳米片层相互交错而形成密集团聚的片状结构，以六边形片状为单位聚集为团。
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