[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置。在栅极沟槽(7)的底面设有导电层(22)。由该导电层(22)和n型电流扩散区(3)沿栅极沟槽(7)的侧壁形成肖特基结(23)，并由该肖特基结(23)构成沟槽型SBD(42)的1个单位单元。在栅极沟槽(7)的内部，在导电层(22)上隔着绝缘层(8a)设有构成沟槽栅型的纵向型MOSFET(41)的1个单位单元的栅电极(9)。即，沟槽栅型MOSFET(41)的1个单位单元和沟槽型SBD(42)的1个单位单元被配置在1个栅极沟槽(7)的内部并且在深度方向上对置。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的第一半导体层，其设置在所述半导体基板的正面，且由带隙比硅宽的半导体构成；第二导电型的第二半导体层，其设置在所述第一半导体层的、相对于所述半导体基板侧为相反的一侧，且由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的第一半导体区，其选择性地设置在所述第二半导体层的内部；沟槽，其贯通所述第一半导体区和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层；第二半导体区，其以与所述第二半导体层分开的方式选择性地设置在所述第一半导体层的内部，并包覆所述沟槽的底面；导电层，其设置在所述沟槽的内部；绝缘层，其在所述沟槽的内部，设置在所述导电层上；绝缘膜，其沿所述沟槽的侧壁设置，且与所述绝缘层接触而与该绝缘层连续；栅电极，其在所述沟槽的内部，设置在所述绝缘层和所述绝缘膜之上；第一电极，其与所述第二半导体层和所述第一半导体区接触；第二电极，其设置在所述半导体基板的背面；以及肖特基势垒二极管，其由所述导电层与所述第一半导体层的肖特基结构成。