[发明专利]气体传感器装置和用于制造气体传感器装置的方法在审
| 申请号： | 201811010522.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109425638A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·艾费特;M·M·普拉达 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种气体传感器装置(100)以及一种用于制造气体传感器装置的方法(100)。气体传感器装置(100)构造有：带有气体敏感层(120；220)的气体敏感的传感器元件(110；210)，该气体敏感层具有金属氧化物；和保护层(130；230)，该保护层部分地遮盖所述传感器元件(110；210)的所述气体敏感层(120；220)；其中，所述保护层(130；230)是疏水性的和/或与所述气体敏感层(110；210)的传感器面(120；220)共同作用地起疏水作用。 | ||
| 搜索关键词： | 气体传感器装置 气体敏感层 保护层 传感器元件 金属氧化物 传感器面 疏水作用 疏水性 遮盖 制造 敏感 | ||
【主权项】：
1.基于金属氧化物半导体的气体传感器装置(100；200)，具有：带有气体敏感层(120；220)的、气体敏感的传感器元件(110；210)，该气体敏感层具有金属氧化物；和保护层(130；230)，该保护层部分地遮盖所述传感器元件(110；210)的所述气体敏感层(120；220)；其中，所述保护层(130；230)是疏水性的和/或与所述气体敏感层(110；210)的传感器面(120；220)共同作用地起疏水作用。
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