[发明专利]一种制备太阳能级N型单晶硅的方法在审
| 申请号： | 201811011445.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109023509A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孟涛;王海庆;路景刚 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区包头市昆*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备太阳能级N型单晶硅的方法，（1）将硅原料加入置于单晶炉的石英坩埚中，并在硅原料中间部位放入N型母合金和镓；（2）单晶炉合上，抽真空检漏、加热融化，复投器复投硅原料，加热融化；（3）降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩，等径，收尾，得第一跟单晶棒，拉至单晶炉副腔室冷却，单晶炉剩余熔液保温；（4）单晶棒冷却后取出称重；（5）复投器装入复投料，并在硅原料的中间部位放入N型母合金和镓；（6）加热融化、降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩、等径，收尾，冷却得第二根单晶棒；初始投料量中加入适量镓，更好的中和磷，有效提高N型单晶硅电阻率的集中度，从而提高太阳能的电阻合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 硅原料 加热融化 单晶棒 冷却 太阳能级 母合金 等径 放肩 放入 引晶 籽晶 制备 收尾 石英坩埚 抽真空 电阻率 副腔室 集中度 投料量 称重 电阻 检漏 熔液 投料 装入 保温 太阳能 取出 合格率 中和 | ||
【主权项】：
1.一种制备太阳能级N型单晶硅的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤（1）：将硅原料加入置于单晶炉主加热腔室的石英坩埚中，同时，在硅原料中间部位放入N型母合金和镓；步骤（2）：将单晶炉合上，抽真空至40mtorr以下，并进行检漏、加热融化4.5H，然后利用复投器复投硅原料，继续加热融化；步骤（3）：融化结束后，进行降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩，等径，收尾，得到第一根单晶棒，将单晶棒拉至单晶炉副腔室冷却，同时单晶炉主加热腔室剩余熔液给定一定功率保温；步骤（4）：步骤（3）得到的单晶棒在单晶炉副腔室冷却后取出并称重；步骤（5）：复投器装入复投料向单晶炉中继续添加硅原料，同时，在硅原料的中间部位放入N型母合金和镓；步骤（6）：步骤（5）投料后的进行加热融化、降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩、等径，收尾，冷却得到第二根单晶棒。
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