[发明专利]一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法有效
| 申请号： | 201811011493.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109143466B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 梁雪瑞;马卫东;胡毅 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明实施例提供一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法。所述芯片包括硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si |
||
| 搜索关键词： | 一种 混合 集成 芯片 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种混合集成硅光芯片，其特征在于，包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si3N4波导，所述第二混合集成波导包括一个或多个用于单模光纤耦合的Si3N4波导；所述半导体激光器芯片输出光信号，耦合进入所述第一混合集成波导的Si3N4波导，通过所述第一混合集成波导的Si3N4波导耦合进入所述第一硅波导，并传输至所述光信号处理单元，经过所述光信号处理单元处理后的光信号通过第二硅波导进行传输，耦合进入所述第二混合集成波导的Si3N4波导，通过所述第二混合集成波导的Si3N4波导耦合进入输出光纤并输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811011493.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
