[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明为半导体结构的形成方法。本公开实施例说明形成硅锗源极/漏极外延堆叠的方法，其硼掺杂轮廓与锗浓度可诱发外部应力至完全应变的硅锗通道。此方法包含形成一或多个栅极结构于鳍状物上，其中鳍状物包括鳍状物高度、第一侧壁、以及与第一侧壁对向的第二侧壁。方法亦包括形成第一间隔物于鳍状物的第一侧壁上，并形成第二间隔物于鳍状物的第二侧壁上；蚀刻鳍状物以降低栅极结构之间的鳍状物高度；以及蚀刻栅极结构之间的第一间隔物与第二间隔物，使蚀刻后的第一间隔物比蚀刻后的第二间隔物短，且蚀刻后的第一间隔物与蚀刻后的第二间隔物比蚀刻后的鳍状物短。方法还包括形成外延堆叠于栅极结构之间的蚀刻后的鳍状物上。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一或多个栅极结构于一鳍状物上，其中该鳍状物包括一鳍状物高度、一第一侧壁、以及与该第一侧壁对向的一第二侧壁；形成一第一间隔物于该鳍状物的该第一侧壁上，并形成一第二间隔物于该鳍状物的该第二侧壁上；蚀刻该鳍状物以降低所述栅极结构之间的该鳍状物高度；蚀刻所述栅极结构之间的该第一间隔物与该第二间隔物，使蚀刻后的该第一间隔物比蚀刻后的该第二间隔物短，且蚀刻后的该第一间隔物与蚀刻后的该第二间隔物比蚀刻后的该鳍状物短；以及形成一外延堆叠于所述栅极结构之间的蚀刻后的该鳍状物上。