[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811011688.8 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109841530A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;蔡俊雄;彭成毅;张世杰;游国丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种半导体结构的形成方法。上述方法包含在基板上形成鳍式结构，以及形成栅极结构横跨鳍式结构。方法也包含在鳍式结构的侧壁上形成鳍间隙物，以及部分移除鳍间隙物。方法还包含将鳍式结构凹陷以形成凹陷，以及自凹陷植入掺质以形成掺杂区。此外，方法包含将掺杂区内的掺质扩散以形成扩大的掺杂区，以及在扩大的掺杂区上形成源/漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式结构 掺杂区 凹陷 半导体结构 间隙物 掺质扩散 栅极结构 源/漏极 侧壁 掺质 基板 移除 植入 横跨 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：在一基板上形成一鳍式结构；形成一栅极结构横跨该鳍式结构；在该鳍式结构的侧壁上形成一鳍间隙物；部分移除该鳍间隙物；将该鳍式结构凹陷以形成一凹陷；自该凹陷植入一掺质以形成一掺杂区；将该掺杂区内的该掺质扩散以形成一扩大的掺杂区；以及在该扩大的掺杂区上形成一源/漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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