[发明专利]控片及其制造方法和化学机械研磨缺陷的监测方法有效
申请号: | 201811011719.X | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109166812B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 袁增艺;龙吟;倪棋梁 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/306;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种控片及其制造方法和化学机械研磨缺陷的监测方法,通过在基底的上表面上形成图形化的第一介质层,以及至少填满所述图形化的第一介质层的沟槽的第二介质层,以制造出所述控片。将所述控片放置在化学机械研磨机上研磨后进行处理,以去除所述第一介质层;然后,扫描经过所述处理后的所述控片的表面,以获得所述控片的上表面的缺陷,以实现对所述化学机械研磨缺陷的监测。本发明提供的控片提高了控片表面上的缺陷与背景的比对度,进而提高光学扫描机台对化学机械研磨造成的缺陷的抓取率,实现对所述化学机械研磨缺陷的有效监控。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 化学 机械 研磨 缺陷 监测 | ||
【主权项】:
1.一种控片,用于化学机械研磨工艺缺陷的监测,其特征在于,包括:基底;图形化的第一介质层,形成在所述基底的上表面上,所述图形化的第一介质层具有暴露出所述基底的上表面的沟槽;以及,第二介质层,至少填满所述图形化的第一介质层的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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