[发明专利]用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料和胺羧酸组合物及其使用方法有效
| 申请号： | 201811011725.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109575814B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | N·K·彭塔;李姿丰 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，例如用于半导体衬底，其包含一种或多种含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅颗粒分散体的研磨剂，和一种或多种具有低于5的等电点(pI)的胺羧酸，优选酸性胺羧酸或吡啶酸，其中所述组合物具有2到5的pH。所述组合物能够以高氧化物:氮化物去除速率比进行抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 隔离 水性 二氧化硅 浆料 羧酸 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，其包含一种或多种含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅颗粒分散体的研磨剂，和一种或多种具有低于5的等电点(pI)的胺羧酸，其中所述组合物具有2到5的pH，并且，进一步其中，作为固体的所述研磨剂颗粒的量按所述组合物的总重量计在0.01重量％到20重量％的范围内。
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