[发明专利]一种双栅极侧墙的形成方法和MOS器件

摘要

本发明提供了一种双栅极侧墙的形成方法和MOS器件，所述方法先在第一栅极和第二栅极上同时沉积第一氧化层，而后去除第二栅极上的第一氧化层，接着同时在第一栅极和第二栅极上沉积第二氧化层和氮化层，最后对形成的第一氧化层、第二氧化层和氮化层进行刻蚀以形成相对较厚的第一栅极侧墙和相对较薄的第二栅极侧墙。所述MOS器件包括：衬底、第一栅极、相对较厚的第一栅极侧墙、第二栅极和相对较薄的第二栅极侧墙。与现有技术相比，所述MOS器件同时具有覆盖有厚侧墙的栅极和覆盖有薄侧墙的栅极，可根据实际需求来选择使用厚侧墙栅极或薄侧墙栅极，从而以解决现有MOS器件无法实现在同一操作电压以及同一阀值电压下提供不同性能及速度的问题。

主权项

1.一种双栅极侧墙的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的所述衬底上形成有第一栅极，所述第二区域的所述衬底上形成有第二栅极；沉积第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述衬底、所述第一栅极和所述第二栅极；去除所述第二区域内的所述第一氧化层；沉积第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第一区域内的所述第一氧化层、所述第二区域内的所述衬底和所述第二栅极；沉积氮化层，所述氮化层覆盖所述第二氧化层；依次刻蚀所述氮化层、所述第二氧化层以及所述第一氧化层以分别在所述第一栅极和所述第二栅极侧壁形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙。