[发明专利]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺

摘要

本发明涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本发明所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。

主权项

1.一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其特征在于：包括N+型衬底；所述N+型衬底上表面形成有N‑型外延层；所述N‑型外延层内部中部形成有多个P型柱深槽结构，所述P型柱深槽结构包括柱形深槽结构和位于柱形深槽结构内的P型多晶硅，所述P型柱深槽结构的方向为自N‑型外延层顶部向下，相邻的P型柱深槽结构之间相分离；所述N‑型外延层内部上部形成有多个沟槽栅结构，每个沟槽栅结构位于P形柱深槽结构的上方且相邻的沟槽栅结构之间相分离，所述沟槽栅结构包括沟槽结构和N型多晶硅栅极，所述沟槽结构的内表面形成有栅极氧化层，所述N型多晶硅栅极位于沟槽结构内；所述N‑型外延层内部上部形成有P型体区，所述P型体区位于相邻的沟槽栅结构之间，所述P型体区的结深不超过沟槽栅结构的底部，所述P型体区的顶部沿水平方向依次形成有N+有源区、P+有源区、N+有源区；所述沟槽栅结构、N+有源区、P+有源区的上方形成有金属层，所述金属层与沟槽栅结构之间形成有介质层，所述金属层与N+有源区、P+有源区连接，形成源极金属。