[发明专利]基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法有效
| 申请号： | 201811012428.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110875170B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王登贵;张兴旺;尹志岗;孟军华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法，涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括：将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；对所述h‑BN进行厚度减薄处理；对所述h‑BN进行退火处理；在所述h‑BN衬底表面生长HfS |
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| 搜索关键词： | 基于 氮化 中间层 远程 外延 生长 硫化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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