[发明专利]一种耗尽型场效应管的制作方法

摘要

本发明公开了一种耗尽型场效应管的制作方法，涉及半导体技术领域，该方法在外延层上依次制作块状分立的厚氧化层、栅氧化层以及分立的台阶型的多晶硅栅极，然后制作体区，利用局部厚氧化层和多晶硅栅极形成的阶梯台阶进行离子的注入，由于离子注入穿透不同厚度的阻挡物的能力有差异，使得在离子注入过程中可以同时形成沟道区的离子掺杂和源漏区的离子掺杂，且可以满足沟道区和源区对离子浓度的不同要求，节约了光刻层次，简化了制作步骤；另外，由于沟道区的掺杂是在体区驱入之后制作的，所以体区的驱入热过程不会影响到沟道区的离子掺杂分布，可以确保制作得到的场效应管的阈值电压的稳定性。

主权项

1.一种耗尽型场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上生长外延层，所述外延层掺杂有第一导电类型离子；在所述外延层上制作块状分立的厚氧化层；在所述外延层和所述厚氧化层之间制作栅氧化层；制作分立的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极呈台阶型，每个所述多晶硅栅极分别覆盖一个厚氧化层的表面以及所述厚氧化层两侧外露的栅氧化层；进行第二导电类型离子的注入和驱入，在相邻的两个多晶硅栅极之间形成体区，所述体区的边缘与两侧的多晶硅栅极覆盖下的栅氧化层重合且与两侧的厚氧化层不重合；注入第一导电类型离子，所述第一导电类型离子注入的最大穿透深度大于所述多晶硅栅极与所述栅氧化层的总厚度，且小于所述多晶硅栅极、所述栅氧化层以及所述厚氧化层三者的总厚度，从而在所述体区与两侧的多晶硅栅极覆盖下的栅氧化层重合的部分形成沟道区、在不重合的部分形成源区；制作介质层、接触孔以及金属层；其中，所述第一导电类型离子为N型离子、所述第二导电类型离子为P型离子，或者，所述第一导电类型离子为P型离子、所述第二导电类型离子为N型离子。