[发明专利]存储类晶圆的抛光以及加工方法、存储类晶圆以及存储类芯片在审
| 申请号： | 201811013401.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109166796A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 卜林;王洪云 | 申请（专利权）人： | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王宁宁 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储类晶圆的抛光以及加工方法、存储类晶圆以及存储类芯片。该存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度Ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。该存储类晶圆的制备是将减薄至100μm以下的存储类晶圆的背面抛光至表面形成平均表面粗糙度Ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。上述结构和方法消除了存储类晶圆的应力，提高了其断裂强度，同时使得存储类晶圆表面还保留具有一定粗糙度的抛光痕，使得芯片含有的铜离子能够附着在抛光痕内，进而避免抛光后铜离子渗入芯片表面进行污染，提高了存储类芯片的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储类 晶圆 抛光 芯片 平均表面粗糙度 铜离子 背面抛光 表面形成 晶圆表面 芯片表面 粗糙度 附着 减薄 良率 渗入 制备 背面 断裂 加工 保留 污染 | ||
【主权项】：
1.一种存储类晶圆，其特征在于，所述存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，所述存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度Ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
