[发明专利]基于NiO/Ga2

摘要

本发明公开了一种基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体NiO薄膜、I型晶体β‑Ga2O3薄膜、N型单晶β‑Ga2O3衬底，本发明还公开了一种基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基pn结紫外光电二极管的问题。

主权项

1.一种基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管，其特征在于，包括顶电极(1)和底电极(5)，两电极之间由顶电极(1)向底电极(5)方向依次设置有P型晶体NiO薄膜(2)、I型晶体β‑Ga2O3薄膜(3)、N型单晶β‑Ga2O3衬底(4)。