[发明专利]一种基于原位发泡AlON-AlN多孔材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811013894.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108975949B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 余超;郑永翔;丁军;邓承继;祝洪喜 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B38/10 | 分类号： | C04B38/10;C04B35/582;C04B35/64;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于原位发泡AlON‑AlN多孔材料及其制备方法。其技术方案是：将100质量份的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 原位 发泡 alon aln 多孔 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于原位发泡AlON‑AlN多孔材料的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：步骤一、将100质量份的Al4O4C粉末和20～30质量份的去离子水混合，搅拌均匀，得到Al4O4C料浆；步骤二、将2～5质量份的发泡剂与所述发泡剂10～12倍的去离子水混合，搅拌3～5min，制得泡沫；步骤三、向所述Al4O4C浆料中加入所述泡沫，边加入边搅拌，所述泡沫全部加入后继续搅拌1～5min，倒入模具中，自然状态下静置1～3h，于60～80℃条件下干燥，脱模，得到Al4O4C胚体；步骤四、将所述Al4O4C坯体置于气氛炉内，在氮气气氛和1500～2000℃条件下保温1～5h，自然冷却至室温，得到基于原位发泡AlON‑AlN多孔材料。
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