[发明专利]阻变器件及其制备方法、设计方法有效
| 申请号： | 201811014492.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110931634B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;吴威;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阻变器件及其制备方法、设计方法，该阻变器件包括第一电极、第二电极、阻变层和至少一层热电调制层。所述阻变层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述热电调制层与所述阻变层相邻。所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。该阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导‑脉冲线性区间，有利于提高应用该阻变器件的神经网络的计算精度，有助于实现类脑计算硬件系统。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制备 方法 设计 | ||
【主权项】：
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