[发明专利]一种金属氮化物晶须的生长方法有效
| 申请号： | 201811014736.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109137078B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 江苏贝肯新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/62;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 224700 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在衬底上生长金属氮化物晶须的方法，具体为：在衬底上沉积金属氧化物薄膜，以该氧化物薄膜作为模板，将含Ni溶液均匀喷洒在氧化物薄膜上，形成催化剂液滴层，通入氮气或氨气中的至少一种，在模板层上可控地原位生长出金属氮化物晶须。本发明在MOCVD法中原位引入Ni催化剂，不需要将衬底在不同设备间转移及清洗的繁琐流程，并且有效避免样品在转移过程中造成的玷污，收率高达85％以上，易于实现规模化工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氮化物 衬底 晶须 氧化物薄膜 沉积金属氧化物 氨气 氮气 催化剂液滴 均匀喷洒 原位生长 生长 规模化 模板层 设备间 可控 收率 薄膜 清洗 玷污 引入 | ||
【主权项】：
1.一种金属氮化物晶须的生长方法，其特征在于：1）将衬底进行清洗，放入MOCVD反应室，在惰性气氛下热处理衬底；2）在衬底上沉积金属氧化物薄膜，以该氧化物薄膜作为模板；3）将Ni源溶解在去离子水中，搅拌均匀，将含Ni溶液均匀喷洒在氧化物薄膜上，形成催化剂液滴层；4）通入氮气或氨气中的至少一种，在模板层上可控地原位生长出金属氮化物晶须；所述步骤1）中在惰性气氛下600～800℃热处理衬底25‑50min；所述步骤2）中沉积的金属氧化物薄膜是Al2O3薄膜或Ga2O3薄膜，所述薄膜厚度为2‑10微米；所述步骤4）中所述通入气体的流量为60‑80sccm，生长温度为900‑1150℃，保温2‑5小时；所述金属氮化物晶须为AlN晶须或GaN晶须，X－射线衍射鉴定为纯相，平均直径为1.5～5μm，平均长度为10～100μm。
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