[发明专利]一种基于LTSPICE软件的MOSFET SPICE模型的建立方法

摘要

本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。

主权项

1.一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模：(1)运用Saber Architect参数提取工具，提取SiC MOSFET的关键数据；(2)输入输出特性、转移特性曲线；(3)输入米勒电容，输入电容和输出电容的变化曲线；(4)通过对SiC器件每条曲线的拟合，得到建立SPICE 1模型需要的特征参数；步骤二、体二极管建模：运用Saber自带的建模工具Saber Architect进行建模，分别拟合体二极管的输出特性，电容特性和反向恢复特性曲线，建立体二极管模型；步骤三、PCB寄生参数建模：将驱动回路等效为LC串联电路，在电路中串联已知容值的电容，当给电路施加激励时，则会产生振荡，将电容、频率带入公式，计算出驱动回路中的寄生电感；将主负载回路等效为LC串联电路，在主负载回路中串联已知容值的电容，当给电路施加激励时，则会产生振荡，将电容、频率带入公式，计算出主负载回路中的寄生电感；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE1模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。