[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811015039.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109360876A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吕蒙普;叶芸;郭炳磊;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在电子阻挡层与InGaN/GaN多量子阱层之间设置的复合插入层可与InGaN/GaN多量子阱层中掺杂有Al元素的最后一个GaN量子垒层相配合，掺杂有Al元素的最后一个GaN量子垒层可起到部分阻挡电子的作用，将电子阻挡在InGaN/GaN多量子阱层中，而复合插入层中具有较高的势垒的AlN层与InAlGaN层也可起到阻挡电子的作用。同时，由于AlN层与InAlGaN层中均掺杂了镁元素，AlN层与InAlGaN层均可作为空穴来源，在能够将电子阻挡在InGaN/GaN多量子阱层中的同时，使更多的空穴能够进入InGaN/GaN多量子阱层中与电子进行复合进而发光，提高了在InGaN/GaN多量子阱层中电子与空穴的复合效率，进而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 空穴 阻挡 掺杂 量子垒层 插入层 外延片 复合 制备 电子阻挡层 发光效率 复合效率 镁元素 势垒 发光 配合 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、复合插入层、电子阻挡层及P型GaN层，其中，所述InGaN/GaN多量子阱层沿生长方向层叠的最后一个GaN量子垒层中掺杂有Al元素，所述复合插入层包括依次层叠的AlN层与InAlGaN层，所述AlN层与所述InAlGaN层中均掺杂有Mg元素。
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