[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及控制在衬底上形成的膜的面内膜厚分布的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，具有通过将非同时地进行对衬底供给原料而形成第一层的工序(a)和对衬底供给反应体将第一层改质而形成第二层的工序(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，在工序(a)中依次实施：工序(a‑1)，对衬底在从第一供给部以第一流量供给非活性气体的同时供给原料，并且从第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对衬底在从第一供给部以第三流量供给非活性气体的同时供给原料，或者，在停止从第一供给部供给非活性气体的状态下从第一供给部供给原料，并且从第二供给部以第四流量供给非活性气体。

主权项

1.半导体器件的制造方法，其具有通过将非同时地进行下述工序(a)和工序(b)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬底供给原料而形成第一层；工序(b)，对所述衬底供给反应体而将所述第一层改质，形成第二层，其中，在工序(a)中，依次进行下述工序(a‑1)和工序(a‑2)：工序(a‑1)，对所述衬底，从第一供给部以第一流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从与所述第一供给部相邻地设置的第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对所述衬底，从所述第一供给部以比所述第一流量及所述第二流量都小的第三流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体；或者，对所述衬底在停止从所述第一供给部供给非活性气体的状态下从所述第一供给部供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体。