[发明专利]一种高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201811015118.6 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109234736B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 赵芬利 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C23F1/44 分类号: C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高寿命铜钼蚀刻液,包括:蚀刻液母液以及蚀刻液子液;所述蚀刻液母液的主要成分包括过氧化氢、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂以及pH调节剂,余量为去离子水;所述蚀刻液子液的主要成分包括溶解剂、所述有机酸、所述抑制剂以及所述稳定剂;本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果:本发明所提供的高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法,通过向一定铜离子浓度的蚀刻溶液中加入溶解剂、有机酸、抑制剂以及稳定剂的组合物,进一步延长了蚀刻液的使用寿命,更进一步提高了蚀刻品质的稳定性。
搜索关键词: 一种 寿命 蚀刻 方法
【主权项】:
1.一种高寿命铜钼蚀刻液,其特征在于,包括:蚀刻液母液以及蚀刻液子液;所述蚀刻液母液的主要成分包括占所述蚀刻液母液总质量百分比为10~20%的过氧化氢、占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的调节剂、占所述蚀刻液母液总质量百分比为0.5~5%的稳定剂、占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的有机酸、占所述蚀刻液母液总质量百分比为0.001~1%的抑制剂以及占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的pH调节剂,余量为去离子水;所述蚀刻液子液的主要成分包括占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为3~10%的溶解剂、占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.05~0.5%的所述有机酸、占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.001~0.01%的所述抑制剂以及占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.01~0.1%的所述稳定剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811015118.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top