[发明专利]一种高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法有效
申请号: | 201811015118.6 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109234736B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 赵芬利 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23F1/44 | 分类号: | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种高寿命铜钼蚀刻液,包括:蚀刻液母液以及蚀刻液子液;所述蚀刻液母液的主要成分包括过氧化氢、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂以及pH调节剂,余量为去离子水;所述蚀刻液子液的主要成分包括溶解剂、所述有机酸、所述抑制剂以及所述稳定剂;本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果:本发明所提供的高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法,通过向一定铜离子浓度的蚀刻溶液中加入溶解剂、有机酸、抑制剂以及稳定剂的组合物,进一步延长了蚀刻液的使用寿命,更进一步提高了蚀刻品质的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 寿命 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高寿命铜钼蚀刻液,其特征在于,包括:蚀刻液母液以及蚀刻液子液;所述蚀刻液母液的主要成分包括占所述蚀刻液母液总质量百分比为10~20%的过氧化氢、占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的调节剂、占所述蚀刻液母液总质量百分比为0.5~5%的稳定剂、占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的有机酸、占所述蚀刻液母液总质量百分比为0.001~1%的抑制剂以及占所述蚀刻液母液总质量百分比为1~10%的pH调节剂,余量为去离子水;所述蚀刻液子液的主要成分包括占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为3~10%的溶解剂、占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.05~0.5%的所述有机酸、占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.001~0.01%的所述抑制剂以及占相对于所述蚀刻液母液质量百分比为0.01~0.1%的所述稳定剂。
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