[发明专利]存储装置、半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811015658.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109087901A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种存储装置、半导体器件及半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供第一芯片和多个第二芯片，第一芯片具有第一焊盘，每个第二芯片具有第二焊盘，各第二焊盘均设有穿孔；将各第二芯片堆叠设置于第一芯片，各第二焊盘与第一焊盘正对设置；任意相邻的两第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于远离第一芯片的穿孔；形成穿过各穿孔的连接孔，连接孔露出第一焊盘，且连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的大小相同；在连接孔内形成导电体，第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。本公开的制造方法可简化工艺，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 芯片 连接孔 半导体器件 穿孔 孔段 存储装置 穿孔的 制造 导电体连接 芯片堆叠 正对设置 导电体 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盘，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；将各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；形成穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的连接孔，所述连接孔露出所述第一焊盘，且所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的大小相同；在所述连接孔内形成导电体，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。
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