[发明专利]一种存储器件有效
| 申请号： | 201811016489.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110034117B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 濮必得;殷和国;赵修金 | 申请（专利权）人： | 济南德欧雅安全技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 李修杰 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储装置，所述存储装置包括至少一个DRAM芯片，所述存储装置中，将几个电源信号短路以提高整体芯片速度性能，将VSS和VSSQ以及VDD和VDDQ短接在一起。这可以在衬底上完成，或者在芯片级上更好，因为引线键合对高频噪声起隔离器的作用。通过这个短路，本发明可以更好的输出电路整体电源供应，因此更好的信号质量和更高的输出速度。本发明的衬底设计更简单，因此整体上可以降低衬底上的电阻性电源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括：一个或多个DRAM芯片；由上述DRAM芯片共同共享的衬底；分别连接到外封装上VSS和VSSQ焊球的接地电源；其中至少一个外部VSS球在衬底上电连接到至少一个VSSQ球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南德欧雅安全技术有限公司，未经济南德欧雅安全技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811016489.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于互补型场效晶体管的电路
- 下一篇：半导体存储器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
