[发明专利]制备GaN衬底的自分离方法在审
| 申请号： | 201811016833.1 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109023515A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在1‑5微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行表面层部分氮化，形成多孔网格状结构分布的氮化镓/氧化镓复合薄膜；在该复合薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化镓厚膜 复合薄膜 氮化镓 氧化镓 制备 薄膜 氮化镓衬底材料 气相外延生长 氮化 氨气气氛 多孔网格 自然分离 蓝宝石 表面层 低应力 卤化物 自支撑 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制备GaN衬底的自分离方法，其步骤包括：(1)在蓝宝石衬底上用卤化物气相外延生长厚度范围在1‑5微米且分布均匀的Ga2O3薄膜；(2)在氨气气氛中对Ga2O3薄膜进行部分氮化，Ga2O3薄膜表面氮化形成多孔网格状结构的GaN单晶层，GaN单晶层厚度为原始Ga2O3薄膜厚度的10％‑40％，得到GaN/Ga2O3复合薄膜；(3)在GaN/Ga2O3复合薄膜上进行GaN厚膜的卤化物气相外延生长，获得GaN厚膜，GaN厚膜的厚度大于10微米；(4)外延完成后，降温至室温，外延GaN厚膜与衬底之间自然分离，得到自支撑GaN厚膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811016833.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
