[发明专利]多孔网状结构GaN单晶薄膜、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201811016835.0 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109097834B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C30B33/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga |
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| 搜索关键词： | 多孔 网状结构 gan 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：(1)在蓝宝石衬底上用卤化物气相外延生长厚度范围在0.1‑2微米且分布均匀的Ga2O3薄膜；(2)在氨气气氛中对Ga2O3薄膜进行部分或全部氮化，形成网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜或GaN单晶薄膜；(3)用氢氟酸将GaN/Ga2O3复合薄膜中的Ga2O3或GaN单晶薄膜中剩余的氧去除，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。
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