[发明专利]锗纳米膜柔性金属型顶底双栅薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及高控制力薄膜晶体管技术、柔性器件，本发明旨在提出薄膜晶体管及其制造技术方案，所述晶体管有较好的性能以及较高的工作频率和较强的栅极控制力，在柔性集成电路的制作、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。为此，本发明,锗纳米膜柔性金属型顶底双栅薄膜晶体管及其制作方法，PET衬底上镀有铬金薄膜和二氧化铪栅介质膜；在上方是锗纳米膜，锗纳米膜内有两处相互间隔的掺杂区，两处掺杂区中间位置的上部为二氧化铪栅极介质层；二氧化铪栅极介质层上方是顶栅电极；两处相互间隔的掺杂区上方分别形成有源、漏栅金属电极层。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。

主权项

1.一种锗纳米膜柔性金属型顶底双栅薄膜晶体管制作方法，其特征是，采用真空电子束蒸镀和磁控溅射工艺分别在PET衬底上镀上铬金薄膜和二氧化铪栅介质膜；随后采用光刻形成图案以及离子注入的方式形成两处相互间隔的掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式刻蚀掉埋氧层，通过转移的方法将锗纳米薄膜转移到已经镀有二氧化铪栅介质膜的PET衬底；然后通过光刻以及磁控溅射的方式形成顶部二氧化铪栅极介质层；最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在两处相互间隔的掺杂区上方分别形成源、漏栅金属电极层，在二氧化铪栅极介质层上方形成顶部金属电极层，完成晶体管的制作。