[发明专利]误差放大器在审

专利信息
申请号: 201811017755.7 申请日: 2018-09-01
公开(公告)号: CN109327192A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 胡曙敏 申请(专利权)人: 杭州宽福科技有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市西湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种误差放大电路。误差放大电路包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP管、第二电阻、第二PNP管、第三电阻、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第五PMOS管、第一NMOS管、第六PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三PNP管、第四NMOS管、第四PNP管、第三NPN管、第五NMOS管、第四NPN管、第六NMOS管、第四电阻和第一电容。利用本发明提供的误差放大器可以得到很好的性能指标。
搜索关键词: 电阻 误差放大电路 误差放大器 电容
【主权项】:
1.误差放大器,其特征在于:包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP管、第二电阻、第二PNP管、第三电阻、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第五PMOS管、第一NMOS管、第六PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三PNP管、第四NMOS管、第四PNP管、第三NPN管、第五NMOS管、第四NPN管、第六NMOS管、第四电阻和第一电容;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,另一端接地;所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,漏极接所述第一PNP管的发射极和所述第二PNP管的发射极,源极接电源电压VCC;所述第一PNP管的基极接反馈电压FB,集电极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的发射极,发射极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二PNP管的发射极;所述第二电阻的一端接所述第一PNP管的集电极和所述第一NPN管的发射极,另一端接地;所述第二PNP管的基极接带隙基准电压VREF,集电极接所述第三电阻的一端和所述第二NPN管的发射极,发射极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一PNP管的发射极;所述第三电阻的一端接所述第二PNP管的集电极和所述第二NPN管的发射极,另一端接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,漏极接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极,源极接电源电压VCC;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极,发射极接所述第一PNP管的集电极和所述第二电阻的一端;所述第四PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,漏极接所述第二NPN管的集电极和所述第二NMOS管的栅极和所述第一电容的一端,源极接电源电压VCC;所述第二NPN管的基极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第一电容的一端,发射极接所述第二PNP管的集电极和所述第三电阻的一端;所述第五PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极,源极接地;所述第六PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第二NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第一电容的一端,漏极接所述第六PMOS管的漏极,源极接所送第三NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极;所述第三NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的源极和所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极,源极接地;所述第三PNP管的基极和集电极接在一起再接所述第四NMOS管的漏极和所述第四PNP管的基极,发射极接电源电压VCC;所述第四NMOS管的栅极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,漏极接所述第三PNP管的基极和集电极和所述第四PNP管的基极,源极接地;所述第四PNP管的基极接所述第四NMOS管的漏极和所述第三PNP管的基极和集电极,集电极接所述第三NPN管的基极和集电极和所述第四NPN管的基极,发射极接电源电压VCC;所述第三NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第四PNP管的集电极和所述第四NPN管的基极,发射极接所述第五NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极,漏极接所述第三NPN管的发射极,源极接地;所述第四NPN管的基极接所述第四PNP管的集电极和所述第三NPN管的基极和集电极,集电极接电源电压VCC,发射极接所述第六NMOS管的漏极和所述第四电阻并作为误差放大电路的输出端COMP;所述第六NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极,漏极接所述第四NPN管的发射极和所述第四电阻的一端,源极接地;所述第四电阻的一端接所述第四NPN管的发射极和所述第六NMOS管的漏极,另一端接所述第一电容的一端;所述第一电容的一端接所述第四电阻的一端,另一端接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第二NMOS管的栅极。
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