[发明专利]一种消除衬底偏置效应的模拟开关控制电路在审

专利信息
申请号: 201811018047.5 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN108832921A 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 吕江萍 申请(专利权)人: 北方电子研究院安徽有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 耿英;董建林
地址: 233040*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种消除衬底偏置效应的模拟开关控制电路,包括控制电路和传输电路;传输电路用于使形成的模拟开关的源漏端即S/D端电压双向互通;控制电路用于控制传输电路的导通和关闭以及控制传输电路的衬底电压,其中,控制管P2、P3、P4控制传输管P1的衬底电压,控制管N2、N3、N4控制传输管N1的衬底电压;控制管根据两个控制信号电平的不同逻辑关系,使传输管P1、N1的衬底电压跟随S/D端电压或者跟随对应的电源电压。本发明的电路消除模拟开关电路的衬底偏置效应,提高了模拟开关电路的精度,实现宽电压范围高精度模拟开关的双向传输,电路结构简单。
搜索关键词: 衬底电压 衬底偏置 控制管 模拟开关控制电路 控制传输电路 端电压 传输电路 控制传输 控制电路 控制信号电平 模拟开关电路 高精度模拟 电路结构 电源电压 开关电路 逻辑关系 模拟开关 双向传输 消除模拟 传输管 宽电压 源漏端 导通 电路 互通
【主权项】:
1.一种消除衬底偏置效应的模拟开关控制电路,其特征是,包括控制电路和传输电路;传输电路包括两个传输管,分别为PMOS管P1和NMOS管N1,用于使形成的模拟开关的源漏端即S/D端电压双向互通;控制电路包括八个控制管,分别为PMOS管P0、P2、P3、P4和NMOS管N0、N2、N3、N4,用于控制传输电路的导通和关闭以及控制传输电路的衬底电压,其中,控制管P2、P3、P4控制传输管P1的衬底电压,控制管N2、N3、N4控制传输管N1的衬底电压;控制管根据两个控制信号电平的不同逻辑关系,使传输管P1、N1的衬底电压跟随S/D端电压或者跟随对应的电源电压。
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