[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

提供了一种三维半导体存储器件。该器件其可以包括：包括外围电路区域和单元阵列区域的衬底、设置在衬底的外围电路区域上的外围栅堆叠、以及设置在衬底的单元阵列区域上的电极结构。电极结构可以包括下电极、覆盖下电极的下绝缘层、以及在竖直方向上交替地堆叠在下绝缘层上的上电极和上绝缘层。下绝缘层可以从单元阵列区域延伸到外围电路区域以覆盖外围栅堆叠，并且下绝缘层在外围电路区域上的顶面可以高于在单元阵列区域上的顶面。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：包括外围电路区域和单元阵列区域的衬底；设置在所述衬底的所述外围电路区域上的外围栅堆叠；以及设置在所述衬底的所述单元阵列区域上的电极结构，所述电极结构包括下电极、覆盖所述下电极的下绝缘层、以及在竖直方向上交替地堆叠在所述下绝缘层上的上电极和上绝缘层，其中，所述下绝缘层从所述单元阵列区域延伸到所述外围电路区域以覆盖所述外围栅堆叠，以及所述下绝缘层在所述外围电路区域上的顶面高于在所述单元阵列区域上的顶面。