[发明专利]一种共晶LED的制造方法在审

专利信息
申请号: 201811018686.1 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN109461806A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 罗建华 申请(专利权)人: 东洋工业照明(广东)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫
地址: 528437 广东省中山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种共晶LED的制造方法,包括以下步骤:S1涂覆共晶焊料;S2一次焊接;S3点助焊剂;S4安装LED;S5二次焊接。本发明提供的共晶LED的制造方法,通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接,使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落,排空共晶焊料位内部的所有空气,减小空洞率,通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接,使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙,进一步减小空洞率,提供LED的可靠性。
搜索关键词: 共晶 焊料 真空焊接 空洞率 减小 制造 二次焊接 腔体结构 一次焊接 助焊剂 焊盘 排空 涂覆 浸润
【主权项】:
1.一种共晶LED的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1涂覆共晶焊料:将共晶焊料涂覆于基板上,得到待焊基板;S2一次焊接:将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接,得到固化后的待焊基板;S3点助焊剂:将助焊剂涂覆于共晶焊料的上,得到待安装LED的基板;S4安装LED:将LED芯片安装于待安装LED的基板上,得到待成形LED;S5二次焊接:将待成形LED在真空环境下进行二次焊接,使得助焊剂从LED芯片与共晶焊料之间排出,得到成型的LED。
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