[发明专利]用于PFC应用的封装的快速反向二极管组件

摘要

新的四端子封装的半导体器件在400伏的直流输出PFC升压转换器电路中是特别有用的。在封装的主体内，安装NFET管芯和快速反向二极管管芯，使得NFET的底侧漏极电极经由管芯附接片电耦接到反向二极管的底侧P型阳极区域。第一端子T1被耦接到管芯附接片。第二端子T2被耦接到NFET管芯的栅极。第三端子T3被耦接到NFET管芯的源极。第四端子T4被耦接到快速反向二极管管芯的顶侧阴极电极。由于反向二极管管芯的新的P+型电荷载流子提取区域，该封装器件在PFC升压转换器电路应用中是快速的且具有低的反向漏电流。

主权项

1.一种封装的半导体器件，包括：第一封装端子；管芯附接片，其中所述管芯附接片被耦接到所述第一封装端子；N沟道场效应晶体管NFET管芯，其中所述NFET管芯具有顶侧栅极电极、顶侧源极电极和底侧漏极电极，其中所述底侧漏极电极安装到所述管芯附接片；反向二极管管芯，其中所述反向二极管管芯包括：底侧P型硅区域，从所述反向二极管管芯的底部半导体表面向上延伸，并且还横向向外延伸到所述反向二极管管芯的外围侧边缘；N‑型硅区域，设置在所述底侧P型硅区域上方；N型耗尽停止区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N‑型硅区域中；P+型电荷载流子提取区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；N+型接触区域，从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；P型硅外围侧壁区域，从顶部半导体表面向下延伸到N‑型硅区域中，其中P型硅外围侧壁区域接合底侧P型硅区域，从而形成P型隔离结构，其中P型硅外围侧壁区域还横向环绕N‑型硅区域并将N‑型硅区域与反向二极管管芯的外围侧边缘分开；顶侧阴极电极，设置在N+型接触区域上和P+型电荷载流子提取区域上；以及底侧阳极电极，设置在反向二极管管芯的底部半导体表面上，其中所述底侧阳极电极安装到所述管芯附接片；第二封装端子，所述第二封装端子被耦接到NFET管芯的顶侧栅极电极；第三封装端子，所述第三封装端子被耦接到NFET管芯的顶侧源极电极；第四封装端子，所述第四封装端子被耦接到反向二极管管芯的顶侧阴极电极；以及一定量的密封剂，所述一定量的密封剂将NFET管芯和反向二极管管芯封装在第一封装端子的管芯附接片部分和管芯附接片上。