[发明专利]二维多铁半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811019235.X | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109166963B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 魏钟鸣;杨淮;李京波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维多铁半导体材料，其特征在于，所述二维多铁半导体材料通过在二维铁电半导体材料中引入磁性元素得到，使其同时具备铁电性和铁磁性，所述二维铁电半导体材料为硒化铟。
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