[发明专利]一种面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201811019264.6 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109023004B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 罗来马;黄科;吴玉程;刘东光;昝祥;朱晓勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金及其制备方法，其中面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金的成分组元为W、Ta、V、Cr、Ti，各组分按原子百分比构成为：W 20‑22.5％，Ta 20‑22.5％，V 20‑22.5％，Cr 20‑22.5％，Ti 10‑20％。本发明通过悬浮熔炼制备的W‑Ta‑V‑Cr‑Ti单相难熔高熵合金使材料的组织均匀，硬度、强度等综合性能能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 等离子体 单相 难熔高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金，其特征在于各组分按原子百分比构成为：W 20‑22.5％，Ta 20‑22.5％，V 20‑22.5％，Cr 20‑22.5％，Ti 10‑20％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811019264.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
