[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及所述薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201811019288.1 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109192784A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝;卢马才;王松 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L27/32;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，所述晶体管包括：衬底；有源区，位于所述衬底上方；栅极介质层，位于所述有源区上方；栅极金属，位于所述栅极介质层上方；源漏区，位于所述沟道区两侧的有源区中；其中，所述栅极介质层包括位于所述有源区上方的氧化硅层和位于所述氧化硅层上方的第二栅介质层，所述氧化硅层沿沟道方向的长度小于所述第二栅介质层的长度；其中，所述第二栅介质层的介电常数大于氧化硅层的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 源区 薄膜晶体管 栅极介质层 栅介质层 介电常数 衬底 显示面板 栅极金属 沟道区 源漏区 晶体管 沟道 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底；有源区，位于所述衬底上方；栅极介质层，位于所述有源区上方；栅极金属，位于所述栅极介质层上方；源漏区，位于所述沟道区两侧的有源区中；其中，所述栅极介质层包括位于所述有源区上方的氧化硅层和位于所述氧化硅层上方的第二栅介质层，所述氧化硅层沿沟道方向的长度小于所述第二栅介质层的长度；其中，所述第二栅介质层的介电常数大于氧化硅层的介电常数。
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