[发明专利]无缺陷穿硅通孔结构的制备方法

摘要

本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：1）提供第一晶圆，于第一晶圆内形成穿硅通孔；2）于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3）提供第二晶圆，于第二晶圆的一表面形成第二金属层；4）将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起；5）将第二晶圆旋转，以裸露出部分第一金属层；6）将第二晶圆与第一晶圆键合在一起；7）将裸露的第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将电镀夹具置于电镀液中；8）电镀以在穿硅通孔内形成至少填满穿硅通孔的电镀金属层；9）去除导电介质及第二晶圆。本发明可以使得金属能够逐渐自底向上生长，直至完全填满整个穿硅通孔，可以得到无缺陷的穿硅通孔结构。

主权项

1.一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，其特征在于，所述无缺陷穿硅通孔结构的制备方法包括如下步骤：1)提供第一晶圆，所述第一晶圆包括相对的第一表面及第二表面；于所述第一晶圆内形成穿硅通孔，所述穿硅通孔贯通所述第一表面及所述第二表面；2)于所述第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3)提供第二晶圆，于所述第二晶圆的一表面形成第二金属层；4)将所述第一晶圆与所述第二晶圆贴置在一起，且所述第一金属层远离所述第一晶圆的表面及所述第二金属层远离所述第二晶圆的表面为贴合面；5)将所述第二晶圆旋转，以裸露出部分所述第一金属层；6)将所述第二晶圆与所述第一晶圆键合在一起，所述贴合面为键合面；7)将裸露的所述第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将所述电镀夹具置于电镀液中；8)将所述电镀夹具、键合后的所述第一晶圆及所述第二晶圆置于真空环境中真空处理后进行电镀，以在所述穿硅通孔内形成至少填满所述穿硅通孔的电镀金属层；9)去除所述导电介质及所述第二晶圆。