[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811020172.X | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110875384A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘健 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 肖丽 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例中的半导体器件，通过在传统器件主沟道层的上方设置单个或多个沟道层，这些单个或多个沟道层被栅极结构贯穿，降低对器件的阈值电压和热阻的影响，同时栅极结构能够降低器件的漏电，提升器件的击穿电压。在器件工作时，被栅极结构贯穿的沟道里面的二维电子气会由于遂穿或者其他的物理机制，流向主沟道，从而提升了栅源和栅漏之间主沟道二维电子气的浓度，从而有效地降低了栅源和栅漏之间的电阻，改善了器件跨导的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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