[发明专利]单晶硅同心圆及黑角的检测前预处理方法有效
| 申请号： | 201811020607.0 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109273377B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张浩强;杨红涛;柳志强;杨建勇;焦鹏;李双凯;李春辉 | 申请（专利权）人： | 宁晋晶兴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 054000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅同心圆的检测前预处理方法，切取单晶硅头部圆形的样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/4圆以上的样片；将获取的样片退火处理；将退火处理后的样片经过碱性溶液煮制；然后将煮制后的样片浸泡到酸液中；将浸泡酸液后的样片纯水冲洗、晾干；将晾干的样片进行样片少子寿命测试。本发明还提供了一种单晶硅黑角的检测前预处理方法，切取任一单晶硅尾部圆形样块；将获取的单晶硅头部样块用金刚笔刻制出1/3圆以上的样片；将获取的样片酸性溶液腐蚀；将酸性溶液腐蚀后的样片清洗酸液残留；将清洗酸液残留的样片退火处理；将退火处理的样片自然风干后，使用碱性溶液煮制；将煮制处理后的样片进行少子寿命测试。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 同心圆 检测 预处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
