[发明专利]一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201811022396.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109256443B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 孙国峰 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管及制备方法。一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管，包括蓝宝石衬底、AlN薄膜镀层、GaN镀层、n‑GaN生长层、应力释放层、量子阱发光层、电子阻挡层、p‑GaN生长层和接触层。本发明设计了一种利用溅射GaN衬底的外延生长方法制备半导体发光二极管的方法，该方法简单且有效的解决了上述衬底晶格失配的问题，制备出了效果良好的半导体发光二极管，且耗时较少，能有效的提升产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 溅射 gan 衬底 外延 生长 半导体 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管，其特征在于，所述的利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管包括蓝宝石衬底、AlN薄膜镀层、GaN镀层、n‑GaN生长层、应力释放层、量子阱发光层、电子阻挡层、p‑GaN生长层和接触层；所述的AlN薄膜镀层的厚度为20～50nm；所述的GaN镀层的厚度为300～500nm；所述的n‑GaN生长层的厚度为1600～1800nm；所述的应力释放层的厚度为60～90nm；所述的量子阱发光层的厚度为90～200nm；所述的电子阻挡层的厚度为15～35nm；所述的p‑GaN生长层的厚度为20～40nm；所述的接触层的厚度为15～35nm。
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