[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811022440.1 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109667694B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 阿部佑哉;小滨孝德 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | F02P3/04 | 分类号： | F02P3/04;F02P3/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在使电路构成进一步简单化的同时还具备元件保护功能的半导体装置。是功率半导体开关元件(201)和控制电路(200)形成在同一个芯片内的半导体装置(100)，所述功率半导体开关元件(201)具备用于为了特性试验而对栅极施加电压的特性试验用端子(104)，所述控制电路(200)控制功率半导体开关元件(201)的动作，其中，控制电路(200)具备栅极电压生成电路(208)，其基于通过预先对特性试验用端子(104)施加电压而测定到的功率半导体开关元件(201)的特性，生成用于将发生异常时在功率半导体开关元件(201)中流通的过电流限制在所希望的范围的电流限制栅极电压(Vgate_OC)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置在同一个芯片内形成有具备特性试验用端子的功率半导体开关元件和控制所述功率半导体开关元件的动作的控制电路，所述控制电路具备栅极电压生成电路，所述栅极电压生成电路基于通过预先对所述特性试验用端子施加电压而测定到的所述功率半导体开关元件的特性，生成用于将发生异常时在所述功率半导体开关元件中流通的过电流限制在所希望的范围的电流限制栅极电压。
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