[发明专利]一种电压抑制器及其制备方法有效
申请号: | 201811023166.X | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109148442B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 广东晨晞电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 席卷 |
地址: | 528437 广东省中山市火炬*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种电压抑制器,其包括:第一导电类型的衬底,形成在衬底上第一导电类型的第一外延层,形成在第一外延层上第二导电类型的第二外延层,在第一外延层的上表面向下延伸至第一外延层内的第二导电类型的注入区,形成在第二外延层的上表面的介质层,在第二外延层的上表面向下穿过第二外延层且与注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层。其还公开了上述电压抑制器的制备方法。其能进行双向保护,且器件面积小,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 抑制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电压抑制器,其特征在于,其包括:第一导电类型的衬底,形成在所述衬底上第一导电类型的第一外延层,形成在所述第一外延层上第二导电类型的第二外延层,在所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的注入区,形成在所述第二外延层的上表面的介质层,在所述第二外延层的上表面向下穿过所述第二外延层且与所述注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层,在所述第二外延层的上表面向下且延伸至所述第一埋层的第二导电类型且与所述第二外延层电连接的第三埋层、第二导电类型的第四埋层、第一导电类型且与所述第四埋层连接的第五埋层,间隔形成在所述介质层上表面的与所述第二埋层电连接第一金属层、与所述第四埋层和所述第五埋层均电连接的第二金属层,一端与所述第一外延层电连接、另一端与所述第二金属层电连接的第三金属层,形成在所述第一金属层上的第一电极,形成在所述衬底上的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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