[发明专利]瞬态电压抑制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811024218.5 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109192727A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市诚朗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L21/822 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双向瞬态电压抑制器包括结构相同的第一器件及第二器件，所述第一器件包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层两侧且延伸至所述外延层内的第二导电类型的第一注入区、形成在所述第一注入区的上表面的第一氧化层及形成在所述外延层的上表面且位于所述第一注入区之间的第二导电类型的第二注入区，所述第一器件的衬底的下表面与所述第二器件的衬底的下表面相粘接。本发明还提供双向瞬态电压抑制器的制备方法，提高了双向瞬态电压抑制器的击穿电压和稳定性，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 注入区 双向瞬态电压抑制器 衬底 上表面 制备 第一导电类型 导电类型 下表面 瞬态电压抑制器 击穿电压 氧化层 粘接 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种双向瞬态电压抑制器，其特征在于：其包括结构相同的第一器件及第二器件，所述第一器件包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层两侧且延伸至所述外延层内的第二导电类型的第一注入区、形成在所述第一注入区的上表面的第一氧化层及形成在所述外延层的上表面且位于所述第一注入区之间的第二导电类型的第二注入区，所述第一器件的衬底的下表面与所述第二器件的衬底的下表面相粘接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
