[发明专利]基于热成像技术的半导体雪崩失效分析测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 201811024283.8 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN109212401B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 孙伟锋;吴其祥;童鑫;卢丽;钊雪会;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01R31/265 分类号: G01R31/265;G01N25/20
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置,本发明主要包括在搭建的测试系统中,开启待测功率器件和功率开关管,电感开始续流,当电感中的电流达到雪崩电流峰值Iav后,关断待测功率器件和功率开关管,电感放电,待测功率器件发生雪崩,在待测功率器件被击穿前开启短路功率器件,待测功率器件被短路并停止雪崩,电感能量通过短路功率器件泄放,此后,重复本操作,使待测器件持续发生雪崩,通过对器件雪崩时间的限制,使得器件在在不损坏的情况下多次进行雪崩过程,在此过程中我们可以通过热成像技术观测器件雪崩过程中发热点位置的变化情况。
搜索关键词: 基于 成像 技术 半导体 雪崩 失效 分析 测试 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811024283.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top