[发明专利]基于键合转移的超大功率限幅器MMIC及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于键合转移的超大功率限幅器MMIC及制备方法，制备方法包括：在Si晶圆片正面刻蚀出PIN台面结构和上电极；在Si圆片正面旋涂粘附剂；将Si晶圆片与临时载片正面相对键合；将Si圆片衬底减薄；在Si晶圆片背面制备下电极；清洗以临时衬底为支撑的PIN结构薄层和已完成外围电路制备的SiC衬底；将以临时衬底为支撑的PIN管薄层和已完成外围电路制备的SiC衬底正面进行键合互连；去除临时衬底；刻蚀隔断PIN台面；将PIN结构与SiC电路互连，得到基于键合转移的超大功率限幅器MMIC。本发明将高性能Si PIN限幅器集成到MMIC中，实现高集成度、大功率的限幅器MMIC。

主权项

1.一种基于键合转移的超大功率限幅器MMIC，其特征在于，包括SiC衬底、金属键合层、Si PIN管芯层和外围电路层；所述外围电路层位于SiC衬底上，金属键合层位于外围电路层和Si PIN管芯层中间，Si PIN管芯层和金属键合层通过岛状Si衬底隔开；所述Si PIN管芯层上设置PIN上电极，PIN上电极和外围电路层互连。